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SUP18N15-95
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2.8
2.4
2.0
1.6
V GS = 10 V
I D = 15 A
100
T J = 150 °C
10
1.2
0.8
0.4
T J = 25 °C
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
185
180
175
170
165
160
155
150
145
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T J - Junction Temperature (°C)
Drain-Source Voltage Breakdown
vs. Junction Temperature
www.vishay.com
4
Document Number: 71642
S-71662-Rev. B, 06-Aug-07
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